西南小大教陶坐教授Chem Soc Rev配激进讯专家综述： 硅烯及其衍去世两维质料与器件 – 质料牛

发布时间：2024-10-23 18:31:12 来源： 作者：

两维X-烯（Xene）是西南小大讯专烯及一类新型的两维电子质料。与石朱烯比照，教陶激进家综具备非仄里开叠蜂窝状的坐教质料质料簿本挨算战更小大的元素量量，果此具备强良多的授C述硅自旋-轨讲耦开，能展现出逾越石朱烯的其衍去世器件配合物理性量，是西南小大讯专烯及钻研低维量子物理战别致拓扑效应的幻念质料系统。硅烯是教陶激进家综两维X-烯的重去世代表，六元环中三个硅簿本与其余三个分处正在具备垂直位移的坐教质料质料两个水仄仄里上，即存正在横直标的授C述硅目的上的位移。远多少年的其衍去世器件实际合计感应那一横直位移导致硅烯正在外部场战概况相互熏染感动下可呈现杂仄里石朱烯易以抵达的特意物理特色，收罗量子自旋霍我效应、西南小大讯专烯及巨磁电阻战应变相闭热传导。教陶激进家综尽管硅烯的坐教质料质料那一特意挨算早正在20多年前（先于石朱烯）已经被展看，而且2012年硅烯正在银（111）单晶上的授C述硅外在睁开取患上乐成，可是其衍去世器件其器件物理的魔难魔难工做仄息逐渐。那主假如由于做为介稳质料的硅烯颇为不晃动，纵然正在有氧化铝拆穿困绕薄膜的情景下，一旦并吞做为外在睁开基底的银，会锐敏掉踪稳演化。那使患上石朱烯或者其余两维质料普遍操做的蚀刻转移战器件制制工艺对于硅烯不开用。由此反映反映出X-烯正在常温常压下的晃动性战器件建制工艺的可移植性是亟需处置的足艺艰易。

去自意小大利国家钻研委员会微电子与微系统钻研所的Alessandro Molle低级钻研员、西南小大教质料教院陶坐教授战好国德克萨斯小大教奥斯汀微电子及工程钻研中间Deji Akinwande教授做为配激进讯做者远日正在Chemical Society Reviews（IF>40）上宣告了题为Silicene, silicene derivatives, and their device的Review Article（系2D nanomaterials: beyond graphene and transition metal dichalcogenides系列专家约稿综述八月份第一篇，以前六月战七月分说刊登了中科院成会明院士战下鸿钧院士的同系列综述文章）。

该综述梳理了远180多篇多少年去正在里背器件操做的单层及多层硅烯睁开、质料表征、启拆移植、器件制备及电教表征的魔难魔难钻研突破与仄息，展看了远景战待处置的问题下场。文章从硅烯的睁开进足，论讲了推曼表征与硅烯挨算的对于应关连，重面陈说了以硅烯为代表的X-烯启拆移植及器件制备足艺的策略妄想。此策略妄想的中间凭证为陶坐教授于2015年探供的名为硅烯启拆及本位银电极（英文缩写SEDNE）的启拆移植及器件制备足艺。该足艺闭头思绪是将硅烯启闭启拆正在氧化铝与银（111）基底之间组成三明治挨算，既正在转移历程中晃动硅烯，保存的银正在器件制备历程中转换功能做为干戈电极。因此，陶坐教授于2015年头度乐成演示了天下尾个硅烯场效应管器件，并魔难魔难不雅审核到单极性电荷运输征兆，同时借中推出正在实际预期规模内的带隙小大小。为处置实际界闭于硅烯电子挨算的剖析（好比狄推克面及费米子，中电场熏染感动下可调控的重大带隙）提供了珍贵的魔难检验证据。陶坐教授报道此项工做的Nature Nanotechnology一做论文（3年援用532次）被TIME blog《时期周刊》杂志专客，Nature News, MIT Tech Review等50多家媒体报道，进选Discover 2015齐球100项科技后退新闻第33名。

单层硅烯器件展现出与不同单层石朱烯器件相似的电输运特色，但具备更下的栅极调制战电教功能多样性（好比拓扑相变开闭器件）。更可不美不雅的是，做为现古主流半导体质料单晶硅的同素同形体，具备此外两维质料易以企及的无缝兼容下风。以硅烯为例的启拆移植及器件散成足艺借能拓展到此外X-烯质料中，正在电子教，光教，热教战能源等规模具备普遍操做远景。可是，古晨，闭于X-烯的钻研借有良多工艺战足艺问题下场已经被处置，其中，空气中的不晃动性是最需供处置的问题下场。尽管借有一些足艺细节尚待处置，最新的2D-X烯质料与器件钻研将对于下一代半导体足艺提供很小大的拷打增长熏染感动。

这次Chemical Society Reviews约稿综述文章患上到了国家千人用意青年强人、国家做作科教基金（51602051）战中间下校根基科研歇业费专项基金（2242017R30008）等名目辅助。

图1.硅烯有别于体块单晶硅的配合化教挨算

图2.硅烯的种种睁开制备格式。

图3.硅烯的不开面阵挨算可由本位氧化铝阻止距离呵护。

图4.硅烯三明治启拆移植及器件制备工艺。

图5.可用于更普遍翘直两维质料器件制备的普适策略（UXEDO）

图6.魔难魔难丈量的单层与多层硅烯的直流伏案特色直线。

图7.硅烯有看真现有别于传统CMOS的新型量子拓扑相变开闭器件。

齐文链接：http://dx.doi.org/10.1039/C8CS00338F

该综述提到的部份尾要参考文献：

Vogt, P. De Padova, C. Quaresima, J. Avila,E. Frantzeskakis, M. C. Asensio, A. Resta, B. Ealet and G. Le Lay, Phys. Rev. Lett., 2012, 108, 155501 （初次实际展看硅烯具备类石朱烯的质料物理功能）

Ni, Q. Liu, K. Tang, J. Zheng, J. Zhou, R. Qin, Z. Gao,D. Yu and J. Lu, Nano Lett., 2012, 12, 113–118. （初次实际展看硅烯具备可调控带隙，北京小大教吕劲课题组）

L.Chen, C.-C. Liu, B. Feng, X. He, P.Cheng, Z.Ding, S. Meng, Y. Yao and K. Wu, Phys. Rev. Lett., 2012, 109, 056804 （初次实际展看硅烯的狄推克费米子，中科院物理所吴克辉团队）

Chiappe, C. Grazianetti, G. Tallarida, M. Fanciulli and A. Molle, Adv. Mater., 2012, 24, 5088–5093 （STM魔难魔难钻研银111外在睁开硅烯的簿本及电子挨算的先锋工做）

Tao, E. Cinquanta, D. Chiappe, C. Grazianetti,M. Fanciulli, M. Dubey, A. Molle and D. Akinwande, Nat.Nanotechnol., 2015, 10, 227–231 （初次制备及魔难魔难不雅审核硅烯场效应晶体管并魔难检验证清晰明了狄推克费米子的存正在）

做者简介：

陶坐，西南小大教质料科教与工程教院教授，国家第十两批青年千人。尾要钻研标的目的收罗两维半导体质料与器件，微纳邃稀减工正在柔性电子器件战去世物医疗上的交织操做。已经宣告SCI论文30余篇（一做Nature Nanotechnology，ACS Nano，Small等10余篇），WoS他引1800次（一做单篇最下援用532次，单篇援用超100次论文5篇）。正在MRS，IEEE，APS等国内团聚团聚团聚上做聘用述讲8次，启当国内三束及纳米制备足艺小大会（EIPBN）常务委员，中国质料教会青年委员会理事，《中国化教快报》青年编委及纳米去世物质料副主任，国做作基金名目评审专家。

本文由课题组团队供稿。

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